AG-AND(Assist Gate-AND)


セル構造にセル間の干渉を防ぐアシスト・ゲートと、フローティング・ゲートを交互に組合せたフィールドアイソレーション方式を採用して、日立製作所半導体グループが独自に開発した次世代AND型フラッシュ・メモリ・セルです。

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