InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード


受光用フォトダイオードの増倍層材料として、増幅効率が高く、かつ検出感度を阻害する漏れ電流が小さいInAlAsを用いた半導体レーザーの受光素子で、不純物濃度を精密に制御できる分子線エピタキシを用いて結晶を作製し、メサ型素子構造を形成しています。

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