InGaAlAs埋め込みヘテロ型半導体レーザー


メトロ系光送受信モジュールの構成を簡略化し、低コスト化を実現するために、日立製作所中央研究所が2002年9月4日に開発したことを発表した、伝送容量10Gbpsのメトロ系光通信システムの低コスト化を実現するために、結晶材料に含まれるAlの酸化を抑制するプロセス技術を開発し、光源用半導体レーザーの活性層材料として、高温特性が良好なInGaAlAs結晶を用いるとともに、省電力化に適したBH構造の発光素子です。

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