InGaP/InGaAsヘテロ構造


HEMTの初期にはAlGaAsとGaAsが半導体として用いられていたが、トランジスタの微細化が進むにつれて、より高性能を実現するため、より速いInGaAsと、より多くの電子供給を実現できるInGaPを接合した構造です。

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