歪シリコン・トランジスタ

歪Siトランジスタ

Siより格子間隔がわずかに大きなSiGeの上にSiを積層して引っ張り歪を与えれば、移動度の向上が期待できことから、この構造をチャネル層(電子が移動する層)に採用し、この結果生ずるSiの格子歪を利用して高い電子移動度を可能とするトランジスタです。

>> さらに詳細な情報はこちら