SGT(Surrounding Gate Transistor)

円柱状のシリコン素子

東北大学の舛岡富士雄(Fujio Masuoka)教授らが開発している、ソース、ゲート、ドレイン電極を垂直に配置し、さらにゲート電極がシリコン柱を取り囲む構造をした円柱状のトランジスタです。

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