SiGeC HBT

SiGeC Heterojunction Bipolar Transistor

SiGeCヘテロ接合バイポーラトランジスタ>>SiGeCバイポーラCMOS

日立製作所は2001年12月5日に開発ことを発表した、超高速・高周波通信用LSIに向け、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)にカーボン(C)の混晶を選択エピタキシャル成長させたSiGeCヘテロ接合バイポーラトランジスタです。

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