SiGeC混晶

シリコンゲルマニウムカーボン混晶

ゲルマニウム(Ge)はシリコン(Si)より小さいバンドギャップや大きなキャリア移動度を持つことから、トランジスタの電極とのコンタクト材料やチャネル材料として期待され、開発が進められている混晶です。

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