SOI

Silicon-On-Insulator

シリコン・オン・インシュレーター

IBMが1998年8月3日に高速チップ用として発表した、コンピュータとコミュニケーション機器のパフォーマンスを最高35%増進する、基板からの電気的影響を減らす目的でシリコンウエハー基板上に絶縁層となるシリコン酸化層を作り、さらにその上に単結晶シリコンを形成するサンドイッチ状の製造技術です。

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