Cu-11


「低誘電体層間絶縁膜(low-k dielectric)」と呼ばれる電子材料を用いて、演算速度と処理能力を最大30%向上可能な半導体チップを製造する新技術を開発し、2000年4月3日に発表したASICテンプレートです。

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