FeRAM

Ferroelectric RAM

エフ・イー・ラム>>エフ・ラム>>強誘電体メモリ>>強誘電体随時書き込み読み出しメモリ

セルから読み出した電圧の高低で、書き込んだ情報が「0」か「1」かを判断し、フラッシュ・メモリと同様に電源を切ってもデータが消えない「不揮発性」を持ったRAMの総称。これまでは2組のトランジスタとキャパシタを使って、片方のトランジスタとキャパシタに「0」か「1」の情報を書き込み、もう1組のトランジスタとキャパシタに反対の情報を書き込んで、双方の電圧を比較することで情報を正確に読み出していた。NECでは、1組のトランジスタとメモリ内部で情報データを記憶させるキャパシタという膜材を薄型化する技術を活用するセル作製技術を1998年7月に開発し、最大64Kビット程度の記憶容量しかなかったFeRAMを、1Mビット級のFeRAMの開発も可能にした。富士通は、キャパシタ膜を乗せる電極に10ナノmほどの酸化ビスマス(BiOX)で超薄膜を形成し、その上にタンタル酸ストロンチウムビスマス(STB)を形成する手法で、これまでの100〜200ナノmの厚さから50ナノmのキャパシタ膜を開発し、FeRAMの記憶容量を64Mビット〜Gビットにまで可能にした。DRAMに置き換わる高性能メモリとして、FeRAMの可能性はますます高くなってきている。韓国のハイニックス半導体(Hynix Semiconsuctor)社は2003年3月7日に、「FeRAM」の4Mビットと8Mビット型の実用化に成功したと発表した。Hynix Semiconsuctor)社は2003年3月10日に、第15回ISIF(15th International Symposium on Integrated Ferroelectrics)で4Mビットと8Mビットの「FeRAM」を公開した。詳細情報はURL(http://www.hynix.com/allnews/eng/preng_readB.jsp?NEWS_DATE=2003-03-10:08:33:26)または、URL(http://www.isif.net/homepage.htm)で知ることができる。松下電器産業は2003年7月9日に、ICカードや携帯電話など向けに世界で初めて、0.18μmFeRAMを搭載したシステムLSIの量産化に成功したと発表した。詳細情報はURL(http://www.matsushita.co.jp/corp/news/official.data/data.dir/jn030709-1/jn030709-1.html)で知ることができる。