直接遷移型半導体


シリコン層の上にガリウム砒素(GaAs)物、インディウム燐化物、ガリウム窒化物など、III-V族半導体と呼ばれるマテリアルの薄い層を重ねる技術(GaAs-on-Silicon)を開発し、光のスピードをサポートするガリウム砒素(GaAs)をシリコンウエハーに利用することが可能になった半導体です。

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