3次元構造SRAMセル

3D Static Random Access Memory cell


「SRAM」は、データ保持のためのリフレッシュ動作が不要であり、低消費電力性能に優れたメモリとして注目され、高集積化への要求が今後も高まっていくことが予想されることから、3次元構造にして高集積化を実現するために開発されている「SRAM」の名称。日立製作所は2004年6月17日に、ルネサス テクノロジと共同で、130ナノメートルのCMOSプロセスでメモリセルを試作し、2つを通常のトランジスタ上に、さらに2つを縦型ポリシリコンMOSトランジスタを積み上げた構造で4つのトランジスタを集積した3次元構造のSRAM(Static Random Access Memory)セルを開発し、その動作の確認に成功し他と報告した。詳細情報はURL(http://www.hitachi.co.jp/media/New/cnews/month/2004/06/0617a.html)で知ることができる。