RHET

共鳴トンネルホットエレクトロントランジス

富士通が開発した、共鳴トンネルバリアを用いた量子効果トランジスタ技術の名称。富士通では、さらに複数の共鳴トンネルバリアからなるエミッタを持つマルチエッミッタRHET(ME-RHET)を開発している。ME-RHETは、トランジスタ1個で読み書きが随時できる記憶機能や、複数の入力信号が同じか異なるかの比較ができるなどの論理機能を実現できる素子で、それらの試作にも富士通は成功している。ただし、記憶機能を持つME-RHETは、読出しと書込み動作が近い電圧条件であったため動作マージンが小さい、ベース層厚が厚かったためトランジスタとしてのゲインがないという問題があり、SRAMのような一つの集積回路内に、記憶機能が必要なメモリ部分と論理機能が必要な周辺回路部分に同じトランジスタを適用することは困難であった。富士通は1999年12月8日に、論理と記憶の両動作が可能な量子効果トランジスタ「マルチエミッタ共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ」を開発し、SRAM基本回路の試作に成功した。詳細情報はURL(http://www.fujitsu.co.jp/hypertext/news/1999/Dec/8-3.html)で知ることができる。トンネル効果についてはURL(http://www.ite.or.jp/news/keyword/Tunnel.html)で関連記事を探すことができる。