RRAM(Resistance Random Access Memory )


シャープが産業技術総合研究所との共同研究により開発している、フラッシュメモリの約100倍の高速書込みが可能な金属酸化膜の電気抵抗の変化を記憶情報とするメモリ素子の名称。「RRAM」は、低電圧でかつ高速に素子の駆動が可能なことから、低消費電力で大容量データを高速書換えできる次世代メモリとして期待されている。シャープは2006年12月11日に、「RRAM」のメモリ素子の情報が記憶される抵抗変化部分以外の抵抗成分に注目し、これまで制御していなかったこの抵抗成分を情報を書込み時・消去時に異なる値にする「高速ユニポーラスイッチ方式」を開発したと報告した。この開発により、従来の正負二電源が必要であったRRAMの書込み消去を、単一電源で行うことが可能となり、シンプルな回路構成でメモリ素子を動作させることに成功した。これにより、低消費電力でかつ高速書換えが可能な「RRAM」のセル構造を大幅に単純化して、セルサイズを小さくすることができ、さらに、一般的なCMOSプロセスとの整合性が高い材料を使用しているため、既存の生産ラインの流用も可能になった。今後は、メモリ素子の集積化技術や微細加工技術など、さらに着実な研究開発を推し進め、実用化に向けた課題解決に取り組んで行くと報告している。詳細情報はURL(http://www.sharp.co.jp/corporate/news/061211-a.html)で知ることができる。