Strained Silicon


IBMが2001年6月8日に発表した、化合物内部の原子が互いに整列しようとする特性を利用して、原子の間隔が開いている基板上にシリコンを堆積させることよって、マイクロチップのスピードを35%高速化する技術の名称。原子の間隔が開いている基板上にシリコンを堆積させると、シリコン内の原子は下部の原子と並ぶように引き伸ばされ、シリコンは強く引き伸ばされた状態(strained)になり、シリコン内部は、電気抵抗が小さくなると同時に、電子の移動が最大70%高速化され、トランジスタを小型化しなくても、チップ速度を最大で35%まで高速化できる。詳細情報はURL(http://www.ibm.com/news/2001/06/08.phtml)または、URL(http://www.chips.ibm.com/news/2001/0608_ibm_silicon.html)、またはURL(http://www.research.ibm.com/resources/press/strainedsilicon/)で知ることができる。この開発はIBMにとって、1997年の銅チップ、1998年のSOI8Silicon-On-Insulator)とSiGe(シリコン・ゲルマニウム)の大量生産の実現、20世紀最後のクリスマス・プレゼントとしてIBMが紹介したlow-k材料を使用したCMOS 9Sの新製造技術の発表に続く、高速化技術といえる。CMOSチップは、薄型SOIウエハー上に構築することで高い性能を発揮できることが特徴で、従来の「SiGeバイポーラ・トランジスター」は、薄いSOIウエハー上には構築できないため、CMOSとSiGe製バイポーラを1枚のウエハー上に結合して両方の性能を最大化することは技術的に不可能とされてきたが、米国のIBMは2003年9月30日に、コンピューティング・チップの性能を向上させ消費電力は低減する半導体チップの高度な新設計・製造方法を進展させ、次世代ワイヤレス機器用の半導体チップ性能を、従来のテクノロジーと比べ約4倍向上させるとともに、消費電力を5分の1に削減できる世界初の「薄型シリコン SiGeバイポーラ・トランジスター」による設計手法を発表した。詳細情報はURL(http://domino.research.ibm.com/Comm/bios.nsf/pages/bipolar.html)で知ることができる。


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